学术报告（1月29日）

报告题目：基于非狄拉克电子的拓扑态

报 告 人：梁奇锋 副教授（绍兴文理学院物理系）

主 持 人：王志 副教授

时    间：2015年1月29日（星期四）下午3时

地    点：冼为坚堂一楼117室

欢迎广大师生踊跃参加！

报告摘要：

我们最近研究发现从非狄拉克电子态出发也可以得到拓扑非平凡的能带结构。在二维情况下，当系统存在C3旋转对称性时，px和py两轨道电子体系在Gamma点附近将会出现能带的简并以及满足平方关系的能量-动量色散。当引入自旋轨道耦合作用，Gamma点处将会打开能隙而系统也将进入到量子自旋霍尔效应状态。kp微扰理论显示在Gamma点附近赝自旋的指向呈现meron结构，这显然不同于此前基于BHZ模型或Graphene模型的量子自旋霍尔效应态所对应的自旋结构。我们预言在1/3覆盖有铋原子的硅[111]表面可实现这种非狄拉克电子态的量子自旋霍尔效应体系。第一性原理计算得到系统的拓扑能隙约为0.15eV。

报告人简介：

梁奇锋，南京大学博士，日本国家材料科学研究所博士后，现为绍兴文理学院物理系副教授。主要从事碳纳米材料的数值模拟,

使用第一性原理计算纳米材料的电子结构并利用格林函数方法计算材料的输运性质。目前主要研究拓扑超导体在拓扑量子计算中的应用。同时关注拓扑绝缘体材料，基于第一性原理计算的方法，进行理论建模和材料实现。