电子束直写系统（SEM+EBL+EDS）

型号：Raith PIONEER Two
制造商：Raith GmbH
存放地点：571栋哲生堂103

主要功能及特色

Raith PIONEER Two系统采用高分辨热场发射电子枪，可达到8nm的制备精度，采用集成激光干涉台，在两英寸的范围内实现小于50nm的拼接误差和套刻精度。系统集成高精度扫描电镜功能，可对微纳结构进行形貌分析电子束直写系统。该设备聚焦后的高斯电子束照射在表面涂有电子束光刻胶的样品，并进行偏转扫描，光刻胶与电子束进行光刻反应，经显影定影后在样品表面得到设计的微纳结构，进一步配合等离子刻蚀实现硅基及砷化镓，磷化铟等光子微纳结构和器件制备，进一步配合金属蒸镀，利用lift off工艺实现金属微纳结构。

主要技术指标

1. 热场电子发射枪：可调节电压的范围20 eV-30 keV、电子束流范围5 pA- 20 nA、电子束束斑≤1.6 nm
2. 图形发生器频率：6 MHz
3. 最小直写线宽：≤8 nm
4. 写场面积：100 μm ×100 μm，写场拼接误差：≤50 nm
5. 套刻精度：≤50 nm
6. 放置样品最大尺寸：25 mm×25 mmV

主要附件及配置

EDS探测器：

1. 采用场效应晶体管一体化集成设计
2. 硅漂移电制冷探测器有效面积30 mm²，直径不大于16 mm
3. 能量分辨率在100,000CPS条件下Mn Ka保证优于129eV
4. 轻元素分辨率：C-K/57eV, F-K/67eV
5. 元素分析范围: Be 4~Cf 98
6. 探测器处理单元与计算机采用分立式设计，单探测器输出最大计数率优于600,000CPS，可处理最大计数率优于1,500,000CPS
7. 可将电镜图像传输到能谱仪的显示器上

用户须知

需经过培训获得操作资格后才能使用，或由已培训的人员代为测试

设备预约链接：https://sharing.sysu.edu.cn/home/#/orderDetail?id=2436 

设备预约二维码：

注意：点击以上链接，如果出现“系统提示”弹窗（如图绿色方框1），请点击弹窗右上角的“X”（如图红色圆框2），直接关闭弹窗，即可浏览设备详情和收费情况；如需预约，请点击“仪器预约”按钮（如图蓝色方框3），并根据系统提示进行操作。