激光分子束外延系统

型号：TSST 定制
制造商：Laser Molecular Beam Epitaxy
存放地点：571栋哲生堂101

主要功能及特色

激光分子束外延是一种高精确控制的薄膜生长技术，主要用于制备高质量的磁电功能薄膜、异质结构以及量子材料等。该技术通过激光脉冲轰击固体靶材，将靶材材料原子或分子沉积在基底上，逐层生长出原子级平整的薄膜。该设备能够严格控制薄膜厚度、组分以及晶体结构，适用于制造超晶格、多层膜和纳米结构等复杂薄膜体系。其在磁电功能器件、半导体器件、光电子学、量子计算和材料科学研究中发挥着重要作用。

激光分子束外延的特色在于其极高的精度和灵活性。由于激光脉冲的高能量密度和短脉冲持续时间，能够在温度不太高的条件下便可进行薄膜生长，有效减少热损伤和扩散效应对薄膜缺陷和结构损伤的影响。该技术还允许使用多种不同的靶材，通过切换靶材实现多种元素的精确共沉积，在原子层级控制材料的生长。此外，该设备配备了原位监测系统，反射高能电子衍射（RHEED），可实时监测生长过程中的表面形貌和晶体质量。使激光分子束外延在制备具有精确原子级控制和高纯度的薄膜方面具有显著优势。

主要技术指标

1. 背底真空：E^-8 mbar
2. 极限真空度：5E^-9 mbar
3. 加热面积：不小于5*5 mm
4. 控制范围：0-30 sccm
5. 电子枪能量：30KeV
6. 离子源能量：0.5-5KeV
7. 激光频率：0.1-10Hz
8. 激光束尺寸：24*10mm²
9. 电阻加热最高加热温度：900 ℃
10. 激光加热最高加热温度：1100 ℃
11. 可同时安装5个1英寸靶材
12. 高压RHEED可实现材料实时生长监控

主要附件及配置

1. 激光加热台
2. 电阻加热台
3. 等离子清洗
4. RHEED监控

用户须知

需经过培训获得操作资格后才能使用，或由已培训的人员代为操作

设备预约链接：https://sharing.sysu.edu.cn/home/#/orderDetail?id=2473 

设备预约二维码：

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